據(jù)北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局消息,北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局于2026年1月23日正式印發(fā)《北京市原子級(jí)制造創(chuàng)新發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃(2026—2028年)》,旨在加快推動(dòng)本市原子級(jí)制造產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。該計(jì)劃核心目標(biāo)是,圍繞半導(dǎo)體、新材料等領(lǐng)域典型應(yīng)用,加快突破原子級(jí)制造工業(yè)軟件和重點(diǎn)裝備,力爭(zhēng)到2028年,在上述領(lǐng)域開(kāi)發(fā)5種軟件工具,研制不少于10項(xiàng)創(chuàng)新裝備,形成10類典型應(yīng)用和解決方案,初步構(gòu)建國(guó)內(nèi)*的原子級(jí)制造技術(shù)創(chuàng)新高地和典型應(yīng)用標(biāo)桿。
為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo),行動(dòng)計(jì)劃部署了五大重點(diǎn)工程。
一、實(shí)施原子級(jí)制造軟件支撐工程
該工程聚焦開(kāi)發(fā)五大類軟件工具與數(shù)據(jù)庫(kù)。具體包括:原子級(jí)動(dòng)態(tài)仿真軟件、原子級(jí)制造工藝設(shè)計(jì)軟件、原子級(jí)相變調(diào)控軟件、原子級(jí)表面檢測(cè)軟件,并構(gòu)建原子級(jí)制造基礎(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù),為制造過(guò)程的結(jié)構(gòu)篩選、逆向設(shè)計(jì)、工藝優(yōu)化等提供數(shù)據(jù)支持。
二、實(shí)施原子級(jí)加工裝備攻關(guān)工程
工程旨在攻克6類關(guān)鍵加工裝備,以滿足半導(dǎo)體等領(lǐng)域的精密制造需求。重點(diǎn)包括:?jiǎn)尉Ч杈A埃米級(jí)去除裝備、硅晶圓原子級(jí)精度刻蝕裝備、半導(dǎo)體晶圓微米級(jí)減薄裝備、超高速軸承材料制備裝備、二維金屬材料制備裝備以及半導(dǎo)體超高真空環(huán)境保持裝備。
三、實(shí)施原子級(jí)構(gòu)筑裝備攻關(guān)工程
本工程著力研制6類用于材料原子級(jí)構(gòu)筑的核心裝備。涵蓋薄膜沉積裝備、靶材制備裝備(如單晶銅靶材)、外延生長(zhǎng)裝備、離子注入裝備、原子級(jí)圖案化結(jié)構(gòu)構(gòu)筑裝備以及硅基可控碳原子連續(xù)沉積裝備,以支撐半導(dǎo)體先進(jìn)制程及柔性電子等新興領(lǐng)域。
四、實(shí)施原子級(jí)性能測(cè)量裝備攻關(guān)工程
工程針對(duì)高精度測(cè)量與檢測(cè)需求,攻關(guān)3類裝備。主要包括:激光干涉測(cè)量裝備(用于超精密位置測(cè)量)、封裝檢測(cè)裝備(用于芯片失效分析和缺陷定位)以及超低濃度污染物檢測(cè)裝備(滿足ppb級(jí)氣體傳感測(cè)量需求)。
五、實(shí)施原子級(jí)制造應(yīng)用突破工程
該工程面向半導(dǎo)體制造與新材料創(chuàng)制領(lǐng)域,計(jì)劃在半導(dǎo)體拋光、沉積、減薄、檢測(cè)以及二維材料制備等多個(gè)方面打造典型應(yīng)用。同時(shí),聚焦先進(jìn)芯片制造與特殊性能材料規(guī)模化創(chuàng)制需求,開(kāi)展工藝技術(shù)成熟度提升與集成驗(yàn)證,推動(dòng)技術(shù)與裝備“成組連線”應(yīng)用試點(diǎn)。
為保障計(jì)劃順利實(shí)施,北京市將采取一系列措施。包括梯度培育科技型中小企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)及“專精特新”企業(yè);積極爭(zhēng)取并統(tǒng)籌各級(jí)財(cái)政資金支持關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān);通過(guò)“創(chuàng)贏未來(lái)”路演等活動(dòng)給予早期項(xiàng)目資金支持;鼓勵(lì)引育高水平復(fù)合型人才;推動(dòng)建設(shè)產(chǎn)業(yè)育新平臺(tái)、中試平臺(tái)及標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì),并發(fā)揮產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟作用,全方位服務(wù)和支撐原子級(jí)制造產(chǎn)業(yè)高水平創(chuàng)新發(fā)展。